台积电N4X工艺是专为高性能计算（HPC）产品定制的新制造工艺，在高压下具有极高性能，可实现更高频率，尤其适用于服务器CPU和SoC。 以下是对该工艺的详细解读：
与使用N5制造的类似电路相比，N4X节点的时钟频率最高可提高15%。
与使用N4P节点生产的IC相比，在1.2V下运行时的频率最高可提高4%。
N4X可以实现超过1.2V的驱动电压以获得更高时钟，例如在N5上制造的Apple M1系列SoC以3.20GHz运行，若使用N4X生产，理论上可被推到3.70GHz左右或更高频率。
通常用于HPC应用的处理器和SoC不是使用高密度库设计的，N4X虽未明确与N5系列其他成员比较晶体管密度，但能很好地满足HPC对性能的需求。
过去几代HPC级GPU和类似部件总功耗一直在增加，N4X为HPC/数据中心应用设计，重点提供高性能，功耗相对次要。
针对高时钟和高驱动电流对FinFET晶体管进行优化，可能降低电阻和寄生电容并提高流过通道的电流，但不确定是否增加栅到栅间距以及对晶体管密度的影响。
可在极端负载下稳定供电，保障芯片在高压高频率运行时的稳定性。
为晶体管提供更多功率，不过同样不清楚这如何影响晶体管密度和最终的芯片尺寸。
N4X有望在时钟方面具有优势，由于驱动电压超过1.2V，实际上将启用比N3更高的时钟，特别适合数据中心CPU。
N3将在晶体管密度方面具有主要优势。
英特尔为其10纳米增强型SuperFin（现在称为英特尔7）工艺技术引入了类似增强功能，如优化晶体管、稳定供电等方面的措施，这是提高频率潜力的自然方法。
台积电业务发展高级副总裁Kevin Zhang博士表示，HPC现在是台积电增长最快的业务部门，很自豪推出N4X，这是超高性能半导体技术“X”系列中的第一个。台积电不仅定制了“X”半导体技术以释放终极性能，还将其与3DFabric先进封装技术相结合，以提供最佳的高性能计算平台。
